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【公布pp电子】荣耀“数据采集方法及相关装置”专利公布

发布时间:2023-09-02 08:46:20    阅读量:

  pp电子集微网消息,天眼查显示,荣耀终端有限公司“数据采集方法及相关装置”专利公布,申请公布日为8月29日,申请公布号为CN116662638A。

  专利摘要显示,本申请实施例提供了数据采集方法及相关装置,其中,该方法包括:检测目标事件,该目标事件是根据待训练的预测模型配置的事件;在第一时刻检测到该目标事件的情况下,采集第二时刻与该第一时刻之间的第一数据,该第二时刻早于该第一时刻,该第二时刻与该第一时刻之间的时间间隔小于或等于第一阈值;该第一数据为第一类数据项的数据,该第一类数据项为根据该待训练的预测模型配置的数据项;该第一数据用于对该待训练的预测模型进行训练。

  据悉,本申请既可以有效地采集用于预测模型训练的样本数据;还可以降低电子设备在采集数据过程的功耗。(校对/刘沁宇)

  集微网消息,据台媒经济日报报道,美商英特格9月1日发布声明,称向中国台湾知识产权及商业法院提起专利侵权诉讼,表示家登公司制造与销售的特定晶圆传送盒使用了英特格持有扩散器的前开式晶圆传送盒技术。

  据了解,英特格和台积电供应商家登之间近年来发生多起诉讼,最初英特格控家登案2020年和解后,家登于2021年11月控诉英特格的前开式晶圆传送盒FOUP及极紫外光光罩盒(EUV Pod)侵犯专利、索赔1亿元新台币。今年6月,中国台湾法院判决家登败诉,指控英特格侵权案不成立。

  在判决后,家登表示将提出上诉,称公司委请“万国法律事务所”拟具上诉理由,申请上诉,以维护权益,此事件对公司财务业务无影响。

  英特格表示,作为维护知识产权承诺的一部分,我们始终坚定地行使权利,也成功捍卫公司的创新技术。在过去数年间,法院针对英特格与家登公司的专利侵权诉讼案做出的判决,皆有利于英特格。

  资料显示,前开式晶圆传送盒FOUP是半导体制程中被用来保护、运送并储存晶圆的一种容器,其内部可以容纳25片的300mm晶圆。而EUV光罩光刻图案精细度较高,发生掩模污染的风险也比较高,因此需要高度专业化的EUV Pod进行防护。EUV Pod作为一类具有多个关键元件且高度专业化的设备,其技术含量较高。

  集微网消息,9月1日,美商英特格发布声明称,向中国台湾知识产权及商业法院提起专利侵权诉讼,表示家登公司制造与销售的特定晶圆传送盒使用了英特格持有扩散器的前开式晶圆传送盒技术。

  对此,据台媒经济日报报道,家登回应指出,兹因家登精密尚未收到起诉状,无法具体表示意见,惟家登精密将委请专利律师团队积极协助处理,捍卫家登精密及股东权益,家登精密一向尊重知识产权,任何产品的研发过程均经过审慎评估与严谨的专利检索,家登精密坚信并无侵害他人专利的情形。

  家登表示,美国英特格公司与家登精密互为竞争厂商,过往即有多次专利议题的诉讼攻防,此为商场上常见的事情,美国英特格公司此专利诉讼的提起,现阶段对公司运营并无影响。

  据了解,英特格和台积电供应商家登之间近年来发生多起诉讼,最初英特格控家登案2020年和解后,家登于2021年11月控诉英特格的前开式晶圆传送盒FOUP及极紫外光光罩盒(EUV Pod)侵犯专利、索赔1亿元新台币。今年6月,中国台湾法院判决家登败诉pp电子,指控英特格侵权案不成立。

  集微网消息,天眼查显示,中芯国际“一种半导体器件的形成方法及一种半导体器件”专利获授权,授权公告日为8月25日,授权公告号为CN111489970B。

  该专利的专利权人为中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司。

  专利摘要显示,本发明公开了一种半导体器件的形成方法,包括提供衬底,在衬底上形成鳍部,在鳍部上形成伪栅极;移除伪栅极,在移除伪栅极后形成的伪栅极沟槽处形成栅极沟槽;在栅极沟槽内填充第一隔离层。本发明提供的半导体器件的形成方法,在鳍部和栅极的沟槽中填充隔离材料,有效地防止了鳍部两相邻的区域之间、以及相邻的两个鳍部之间产生漏电流,还可以避免鳍部中形成的源极和漏极之间的桥接现象。由此pp电子,半导体器件的性能得到了提高。

  据悉,本发明还提供了一种由该方法形成的性能更稳定的半导体器件。(校对/刘沁宇)

  集微网消息,天眼查显示,TCL华星光电技术有限公司“一种拼接显示装置”专利获授权,授权公告日为9月1日,授权公告号为CN114999334B。

  专利摘要显示,本申请实施例公开了一种拼接显示装置pp电子,包括:第一面板,包括第一面板本体和第一盖板,第一面板本体包括第一显示部和第一边框部,第一盖板对应第一显示部设置;第二面板pp电子,包括第二面板本体和第二盖板,第二面板本体包括第二显示部和第二边框部,第二盖板对应第二显示部设置;至少一个发光二极管显示模块;其中,第一面板和第二面板拼接设置,第一边框部和第二边框部对应拼接部位,发光二极管显示模块设置于第一盖板和第二盖板之间,第一面板、第二面板和发光二极管显示模块的显示侧均为同一侧。

  据悉,本申请实施例的发光二极管显示模块设置于第一盖板和第二盖板之间,用于为拼接部位显示图像,从而消除了拼接缝的存在。(校对/赵碧莹)

  集微网消息,天眼查显示,深圳飞骧科技股份有限公司“射频芯片模组调试装置及方法”专利获授权,授权公告日为9月1日,授权公告号为CN116470969B。

  专利摘要显示,本发明涉及通讯技术领域,本发明公开了一种射频芯片模组调试装置及方法,射频芯片模组调试装置包括调试连接模组、直流电源、射频信号源、射频信号分析仪、调试板和上位机,调试连接模组包括基板和设置于基板上的调试PAD,调试PAD与调试偏置信号的一端电连接,若干个模拟开关的一端分别与上位机和直流电源连接,若干个模拟开关的第二端连接分别连接调试功率放大芯片的另一端,电流检测单元的一端连接直流电源,电流检测单元的另一端连接模拟开关;电流检测单元用于检测输出的电流信号,射频信号分析仪用于检测输出的射频信号,并将电流信号和射频信号反馈至上位机pp电子。

  据悉,本发明的射频芯片模组调试装置的研发成本低,测试效率高。(校对/赵碧莹)

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