华为公开“半导体器件及其制作方法、电子设备”专利pp电子

　　pp电子官方网站集微网消息，天眼查显示，近日华为技术有限公司新增多条专利信息，其中一条发明专利名称为“半导体器件及其制作方法、电子设备”，公开号为CN116583958A。

　　专利摘要显示pp电子，本申请提供了一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，能够改善晶体管的短沟道效应。该半导体器件包括衬底；衬底上设置有沟道区pp电子、源区、漏区；源区和漏区分别位于沟道区的两侧。衬底为Si衬底或者SiGe衬底。衬底在源区和漏区均设置有凹槽。凹槽中设置有第一外延层和第二外延层，第二外延层相对于第一外延层靠近凹槽的槽底pp电子。第一外延层和第二外延层均采用P型掺杂的SiGe。第一外延层中Ge的组分比以及P型掺杂元素的浓度为固定值pp电子pp电子。第二外延层中Ge的组分比以及P型掺杂元素的浓度在沿远离第一外延层的方向上逐渐减小。